Lumex pentru AI pe dispozitive mobile

pe
0

Bariera invizibilă a microcipurilor „spartă”

pe

Cercetătorii de la Johns Hopkins „sparg” bariera invizibilă a microcipurilor

⭐⭐⭐⭐⭐
Nota mea: 5/5 – un pas mare pentru litografia viitorului
Descoperire Johns Hopkins: rezisturi metal-organice compatibile B-EUV pentru circuite sub 10 nm
Rezisturi metal-organice compatibile B-EUV pentru elemente sub 10 nm.

Cercetători ai Universității Johns Hopkins au anunțat un progres major în fabricarea microcipurilor, descris pe în Nature Chemical Engineering. Noua metodă ar putea permite realizarea unor circuite sub 10 nm, folosind materiale metal-organice și un proces de depunere controlat fin.

💬 Comentariul meu: Dacă această chimie intră în producție, presiunea pe cost/consum la nodurile avansate ar putea scădea vizibil.

Descoperirea rezolvă un blocaj critic care frâna miniaturizarea și oferă o cale viabilă economic pentru producția în masă.

🔬 Ce s-a descoperit (pe scurt)

  • Rezisturi din materiale metal-organice funcționale cu B-EUV (Beyond Extreme Ultraviolet);\
  • Metale precum zincul absorb B-EUV și generează electroni pentru transformările chimice din imidazol;
  • Rezultat: elemente < 10 nm pe o linie scalabilă.
„Companiile au foile de parcurs pentru 10–20 de ani. Obstacolul a fost găsirea unui proces pentru caracteristici mai mici, pe o linie unde materialele sunt iradiate rapid și cu precizie absolută — astfel încât procesul să rămână economic.”
— Michael Tsapatsis, profesor Bloomberg, Johns Hopkins

🧪 Metoda CLD: depunere chimică din lichid

CLD (Chemical Liquid Deposition) depune aceste rezisturi din soluție, la scară de plachetă, cu grosime controlată la nivel de nanometri.

  • Procesabilă industrial (procese standard semiconductoare);
  • Rapidă pentru explorarea perechilor metal–imidazol;
  • Versatilă: „cel puțin 10 metale” și „sute de compuși organici”.
💡 Observația mea: CLD pare ușor de integrat în fluxurile existente, ceea ce scurtează mult drumul spre pilotare.

🌈 De ce B-EUV contează

  • B-EUV oferă detalii mai fine decât EUV clasic, dar cere rezisturi compatibile;
  • Diferite metale răspund diferit la lungimi de undă — unele „slabe” la EUV devin excelente la B-EUV (ex.: zinc);
  • Potențial pentru a readuce „Legea lui Moore” pe șine la nodurile viitoare.

🤝 Colaborare și perspective

Parteneri: Johns Hopkins, ECUST (China), EPFL (Elveția), Soochow, Brookhaven și Lawrence Berkeley.

  • B-EUV ar putea intra în producție în ~10 ani;
  • Linii comerciale bazate pe această chimie/CLD: posibil în deceniul următor.
📈 Opinie personală: Dacă timeline-ul se confirmă, vedem impact direct în smartphone, auto, acceleratoare AI și chiar componente pentru calcul cuantic.

📚 Surse (selectiv)

jhuapl.edu, Nature Chemical Engineering (menționat), miragenews.com, hackster.io, scienmag.com

🔎 Vezi și: Știri despre semiconductori și AI pe blog.

Comentarii

Trimiteți un comentariu